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    则算法700进行到步骤712。在步骤712中，根据来自步骤704的仿真结果和步骤706中的比较来调整pcb上的线圈的设计，以提高终设计的线圈设计的准确性。在一些实施例中，发射器线圈设计保持固定，作为步骤702中的输入，并且调整接收器线圈设计和布局以提高准确性。在一些实施例中，还可以调整发射器线圈以提高准确性。图7a中所示的算法700得到线圈设计，该线圈设计用于印刷在具有在步骤702中出现的规范输入期间所指定的仿真准确性的印刷电路板上。图7b示出用于验证线圈设计的算法720，该线圈设计可以是由图7a中的算法700产生的线圈设计。如图7b所示，在步骤722中输入线圈设计。线圈设计可以是较旧的传统设计，可以是新设计，或者可以是由如图7a所示的算法700产生的。在步骤724，对线圈设计执行仿真。在线圈设计输入是由算法700产生的一些情况下，该仿真已在算法700的步骤704中执行。否则，执行类似的仿真。在步骤726中，在印刷电路板上物理地产生线圈设计。在步骤728中，例如利用如图4a和图4b所示的定位系统400来测量物理地产生的线圈设计响应。在步骤730中，将来自物理地产生的线圈设计的测量结果与来自线圈设计的仿真结果进行比较。然后。传感器线圈型号，无锡东英电子有限公司。国产传感器线圈服务至上

    可以替代地修改余弦接收线圈，并且相对于余弦接收线圈定义正弦接收线圈。为了说明的目的，图13示出对关于图12所描述的正弦接收线圈的修改。接收线圈(rx)设计可以用双环路迭代来定义。初，在步骤1206中，正弦形状的rx线圈1316(结合参考系1314)沿x方向对称地部分延伸(如迹线1310所示)，以补偿由于目标非理想性引起的磁通泄漏。利用所施加的线圈延伸，在步骤1208中，使用作用在线圈1316所有点上的适当的位移函数，使正弦形线圈1316沿y方向变形，如迹线1312。给定这些设置，在步骤1210中，算法计算通孔的位置。根据在步骤1202中指定的信息并且为了消除先前提到的信号失配，而建立通孔位置1308。每当一个接收器线圈中的通孔比另一个接收器线圈中的通孔多或通孔以不平衡方式定位(即，不对称)时，就会出现电压失配。所导致的电压失配是当目标移动时正弦信号相对于余弦信号的较大峰峰值幅度(反之亦然)。为了实现减少电压失配的目标，通孔的设计方式是使sin(1316)rx线圈和cos(1318)rx线圈在pcb底部中的部分的长度相同。此外，通孔相对于设计的对称中心是对称的。在步骤1212中，定义正弦接收线圈迹线和余弦接收线圈迹线。在一些实施例中，使用一维模型来定义迹线。在步骤1214中。辽宁汽车传感器线圈传感器线圈哪家好，无锡东英电子有限公司值得信赖，还等什么，快来call我司吧！

图2b示出金属目标124相对于正弦定向线圈112和余弦定向线圈110处于90°位置。如图2b所示，在正弦定向线圈112中，金属目标124完全覆盖环路116，并且使环路114和环路118未被覆盖。结果，vc＝1/2、vd＝0、以及ve＝1/2，因此vsin＝vc+vd+ve＝1。类似地，在余弦定向线圈110中，环路120的一半被覆盖，导致va＝-1/2，并且环路122的一半被覆盖，导致vb＝1/2。因此，由va+vb给出的vcos为0。类似地，图2c示出金属目标124相对于正弦定向线圈112和余弦定向线圈110处于180°位置。因此，正弦定向线圈112中的环路116和环路118的一半被金属目标124覆盖，而余弦定向环路110中的环路122被金属目标124覆盖。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。结果，vsin＝0且vcos＝-1。图2d示出vcos和vsin相对于具有图2a、图2b和图2c中提供的线圈拓扑的金属目标124的角位置的曲线图。如图2d所示，可以通过处理vcos和vsin的值来确定角位置。如图所示，通过从定义的初始位置到定义的结束位置对目标进行扫描，将在的输出中生成图2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)电压。金属目标124相对于接收线圈104的角位置可以根据来自正弦定向线圈112的vsin和余弦定向线圈110的vcos的值来确定，如图2e所示。

    部分314、部分316、部分318和部分320允许余弦定向线圈112覆盖在pcb上。然而，通孔306和pcb322的相对的两侧上的迹线302和迹线304的存在降低了由线圈104检测到的信号的有效幅度。有效地，通孔306在发射线圈106和信号线圈104之间形成间隙距离，这本身对位置定位系统的准确性有很大的影响。这还与以下相结合：由于在pcb322的顶侧和底侧上都形成了信号线圈104的迹线，而导致的金属目标124和pcb322上的信号线圈104之间的有效气隙的增加。图3b示出另一个关于对称性的问题，其中，发射线圈106与接收线圈104是不对称的。在图3b所示的情况下，接收线圈104不以发射线圈106为中心，并且形成与接收线圈104和发射线圈106的连接的迹线也不对称。图3c示出由发射线圈106生成的磁场强度的不均匀性。如图3c所示，发射线圈106的两条迹线位于图上的位置0和位置5处，而接收线圈104被定位在位置0和位置5之间。图3c示出这些迹线之间的磁场在两条迹线之间具有小值。图3c没有示出由于连接图3c中所示的两条迹线并且垂直于图3c中所示的迹线的两条迹线而引起的另外的变形(distortion)。图3d和图3e还示出可能由发射线圈106中的位移引起的不准确性。如图3d和图3e所示，发射线圈106包括位移330。新传感器线圈芯，无锡东英电子有限公司。

    在金属目标124被放置在0°位置的情况下，正弦定向线圈112的环路114中的磁场108被金属目标124中生成的涡电流抵消，使得vc＝0。在正弦定向线圈112的环路116中，环路116在金属目标124下方的一半中的磁场108被金属目标124中形成的涡电流抵消，但是环路116不在金属目标124下方的一半中的磁场108生成电压。由于环路116的一半被暴露，因此生成的电压为vd＝-1/2。此外，在正弦定向线圈112的环路118中生成电压，使得ve为1/2。然而，由环路116生成的电压被在环路118中生成的电压抵消，导致正弦定向环路112两端的电压信号为0；vsin＝vc+vd+ve＝0。在金属目标124相对于余弦定向线圈110的相同定向下，环路120被金属目标124覆盖，使得va＝0。环路122被暴露，使得vb＝1。因此，余弦定向线圈110两端的电压vcos由va+vb＝1给出。图2b示出金属目标124相对于正弦定向线圈112和余弦定向线圈110处于90°位置。如图2b所示，在正弦定向线圈112中，金属目标124完全覆盖环路116，并且使环路114和环路118未被覆盖。结果，vc＝1/2、vd＝0、以及ve＝1/2，因此vsin＝vc+vd+ve＝1。类似地，在余弦定向线圈110中，环路120的一半被覆盖，导致va＝-1/2，并且环路122的一半被覆盖，导致vb＝1/2。因此。传感器线圈哪家专业，无锡东英电子有限公司值得信赖，有需求的不要错过哦！河南批发传感器线圈

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